原裝暢銷(xiāo)·品牌齊全·海量型號(hào)·庫(kù)存充足
聯(lián)系我們
Contact us
深圳京柏微科技有限公司
電話：0755-86520852
傳真：0755-86520852
手機(jī)：18124163678
地址：深圳市南山區(qū)桃源街道平山社區(qū)平山一路2號(hào)南山云谷創(chuàng)業(yè)園二期6棟308
WGB065004是一種增強(qiáng)型硅上氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性允許大電流，高電壓擊穿和高開(kāi)關(guān)頻率。
WGB065004是一種底側(cè)冷卻晶體管，提供非常低的結(jié)到外殼的熱電阻要求高功率應(yīng)用程序。這些特性結(jié)合起來(lái)可以提供非常高效的電源開(kāi)關(guān)。
特性
?650V增強(qiáng)型功率晶體管
?底部冷卻，小PDFN5060包裝
?RDS(on) = 450mΩ
?IDS(max) = 4A?超低FOM
?簡(jiǎn)單門(mén)驅(qū)動(dòng)要求(0V ~ 6V)
?瞬態(tài)容錯(cuò)門(mén)驅(qū)動(dòng)器(-20V / +10V)
?高切換頻率(> 1MHz)
?快速可控的升降時(shí)間
?反向傳導(dǎo)能力
?零反向恢復(fù)損失
?源感(SS)引腳優(yōu)化門(mén)驅(qū)動(dòng)器
?符合RoHS 3(6+4)標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用程序：
?電源適配器
?LED照明驅(qū)動(dòng)器
?電池快速充電
?功率因數(shù)校正
?家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)
?無(wú)線傳輸
第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石等為代表，具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車(chē)、消費(fèi)類(lèi)電子等領(lǐng)域具有應(yīng)用前景。
氮化鎵是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為3.4eV，是硅的3倍多。禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場(chǎng)。
在幾個(gè)關(guān)鍵市場(chǎng)中，GaN都表現(xiàn)出了相當(dāng)?shù)臐B透力。
1、GaN在5G方面的應(yīng)用
射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。
與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時(shí)帶寬更高，這一點(diǎn)很重要，載波聚合技術(shù)的使用以及準(zhǔn)備使用更高頻率的載波都是為了得到更大的帶寬。
與硅或者其他器件相比，氮化鎵速度更快。GaN可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。對(duì)于既定功率水平，GaN具有體積小的優(yōu)勢(shì)。有了更小的器件，就可以減小器件電容，從而使得較高帶寬系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得更加輕松。射頻電路中的一個(gè)關(guān)鍵組成是PA（Power Amplifier，功率放大器）。
從目前的應(yīng)用上看，功率放大器主要由砷化鎵功率放大器和互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體功率放大器（CMOS PA）組成，其中又以GaAs PA為主流，但隨著5G的到來(lái)，砷化鎵器件將無(wú)法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。
